可控硅模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到商品的運(yùn)用壽數(shù)和短時過載才華，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在運(yùn)用中有必要裝備散熱器和風(fēng)機(jī)，主張選用帶有過熱維護(hù)功用的商品，有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。咱們經(jīng)過嚴(yán)肅測算，斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型，選用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時按以下準(zhǔn)則挑選：

1，泰安快恢復(fù)可控硅模塊生產(chǎn)廠家、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ；

2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時散熱底板溫度不大于80℃；

3、模塊負(fù)載較輕時，可減小散熱器的大小或選用天然冷卻；

4、選用天然辦法冷卻時散熱器周圍的空氣能結(jié)束對流并恰當(dāng)增大散熱器面積；

5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊，泰安快恢復(fù)可控硅模塊生產(chǎn)廠家，壓線端子聯(lián)接強(qiáng)健，以削減次生熱量的發(fā)生，泰安快恢復(fù)可控硅模塊生產(chǎn)廠家，模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以抵達(dá)良好散熱作用。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。泰安快恢復(fù)可控硅模塊生產(chǎn)廠家

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國標(biāo)的進(jìn)10倍，焊接工藝獨(dú)特，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好�？煽毓枘�塊的工作場所應(yīng)干燥、無性氣體、通風(fēng)、無塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)或熱水加熱收縮，導(dǎo)線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。

  4、可控硅模塊的電易掀起折斷，接線時應(yīng)防止重力將電拉起折斷。 云南高壓可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司得到市場的一致認(rèn)可。

可控硅鑒別三個的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，用萬用表測量一下三個之間的電阻值就可以判斷出來。

  陽與陰之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽和控制之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽和控制正反向都不通）。

  控制與陰之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大�？墒强刂贫�管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制反向電阻比較小，并不能說明控制特性不好。另外，在測量控制正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制反向擊穿。

  若測得元件陰陽正反向已短路，或陽與控制短路，或控制與陰反向短路，或控制與陰斷路，說明元件已損壞。

可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當(dāng)于或類似于可控制的單向（或雙向）二管，利用其可控功能，實現(xiàn)了弱電流對強(qiáng)電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、功能強(qiáng)、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管可用于下列過程：

1、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電；

2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電；

3、變頻：將一個頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓；

5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓；

6、無觸點(diǎn)通斷：用無觸點(diǎn)開關(guān)代替交流接觸器實現(xiàn)開關(guān)控制。 我們愿與您共同努力，共擔(dān)風(fēng)雨，合作共贏。

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽A、陰K、控制G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽：一陽A1(T1)，二陽A2(T2)、控制G三個引出腳。

  只有當(dāng)單向可控硅陽A與陰K之間加有正向電壓，同時控制G與陰間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽A與陰K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽A和陰K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽A電壓拆除或陽A、陰K間電壓性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽A和陰K間又重新加上正向電壓，仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供化服務(wù)。泰安快恢復(fù)可控硅模塊生產(chǎn)廠家

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選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。

  所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。

  可控硅模塊的正向壓降、門觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路（指門的控制電路）的各要求，不能偏高或偏低，否則會影響可控硅模塊的正常工作。

上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇，希望對您有所幫助。 泰安快恢復(fù)可控硅模塊生產(chǎn)廠家

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