可控硅模塊的特性
單向晶閘管模塊具有其獨特的特性：當(dāng)陽連接到反向電壓時，或陽連接到正向電壓時，但控制不增加電壓，則不會導(dǎo)通，當(dāng)陽和控制同時連接到正向電壓時，將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通，控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓，無論控制電壓的性如何，都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉，只能將陽電壓降到某個臨界值或反向。
雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當(dāng)電管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時）。當(dāng)改變施加到控制G的觸發(fā)脈沖的大小或時間時，其接通電流的大小可以改變。 淄博正高電氣有限公司重信譽，威海反并聯(lián)可控硅模塊配件，威海反并聯(lián)可控硅模塊配件、守合同，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān)，威海反并聯(lián)可控硅模塊配件，熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察，洽談業(yè)務(wù)！威海反并聯(lián)可控硅模塊配件
過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因。
可控硅模塊對過電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。
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可控硅元件控制大電感負(fù)載時會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率大，因此在電感上產(chǎn)生一個高電壓，這個電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點是一個很強(qiáng)的噪聲源。
斷一個可控硅元件是否完好，工程師需要從四個方面進(jìn)行檢查，先是判斷該元件的三個PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰與陽間電壓反向連接時能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制開路時，陽與陰間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通，第四是給控制加上正向電流，給陰與陽加正向電壓時，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計使用要求的。
想要看一個可控硅元件是否符合以上要求，其實非常簡單，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的間電阻，就可對前三個方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰與陽之間的正反向電阻(控制不接電壓)，此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。 地理位置優(yōu)越，交通十分便利。
可控硅模塊特點：
1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。
3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。
5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。威海反并聯(lián)可控硅模塊配件
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可控硅模塊在電子行業(yè)中應(yīng)用以及發(fā)展比較廣，它已經(jīng)應(yīng)用到了很多電子設(shè)備中，不同設(shè)備中使用的可控硅模塊類型也是不同的，下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。
1．選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。
若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等，可選用普通可控硅模塊。
若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向可控硅模塊。
若用于交流電動機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等，可選用門關(guān)斷可控硅模塊。
若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG可控硅模塊。
若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導(dǎo)磁能儲存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路，可選用逆導(dǎo)可控硅模塊。
若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數(shù)器、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運行監(jiān)控電路，可選用光控可控硅模塊。 威海反并聯(lián)可控硅模塊配件
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