【真空鍍膜真空濺射法】： 真空濺射法是物理qi相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術的發(fā)展，濺射鍍膜技術飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強；鍍膜層致密、均勻；設備簡單，操作方便，容易控制。 主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應用較多的是磁控濺射法。 真空鍍膜設備常見故障及解決方法。遼寧低溫影響真空鍍膜設備

【真空蒸鍍的歷史】：1857年Michael FaradayZui早提出基本原理，而后、1930年代由于油擴散式真空泵實用化、蒸鍍主要用于制作鏡片防反射膜。第二次世界大戰(zhàn)時，其他的光學機器對材料的需求提高，真空蒸鍍也因此快速發(fā)展。 【真空蒸鍍的原理】：在真空狀態(tài)下，加熱蒸發(fā)容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉積在目標物體表面，形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波 誘導、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產(chǎn)生光學特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2 等氧化物與氟化物。蒸鍍除金屬外，樹脂與玻璃也可以使用、近年來連紙也變成可蒸鍍。 【蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點】： 優(yōu)點：設備簡單、容易操作；成膜的速率快，效率高。 缺點：薄膜的厚度均勻性不易控制，蒸發(fā)容器有污染的隱患，工藝重復性不好，附著力不高。 江蘇真空鍍膜設備前景真空鍍膜設備日常怎么維護？

【真空鍍膜反應磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來看，物理qi相沉積中的反應磁控濺射沉積技術具有明顯的優(yōu)勢，因而被guang泛應用，這是因為： 1、反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧、氮、碳氫化合物等)通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。 4、反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來 了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應用發(fā)展。

【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點，取長補短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實際的鍍膜機照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設計是實現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實現(xiàn)全mian積均勻。 真空鍍膜設備使用時，需要注意哪些問題?

【真空鍍膜改善薄膜應力】： 1. 鍍后烘烤，Zui后一層膜鍍完后，烘烤不要馬上停止，延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結(jié)構趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時間適當延長，退火時效。減少由于真空室內(nèi)外溫差過大帶來的熱應力。 3. 對高反膜、濾光膜等在蒸鍍過程中，基片溫度不宜過高，高溫易產(chǎn)生熱應力。并且對氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學穩(wěn)定性有負面影響。 4. 鍍膜過程離子輔助，減少應力。 5. 選擇合適的膜系匹配，第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當減小蒸發(fā)速率。 7. 對氧化物膜料全部充氧反應鍍，根據(jù)不同膜料控制氧進氣量。 真空鍍膜設備技術教程。福建真空鍍膜設備廢氣處理

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【離子鍍膜法之活性反應蒸鍍法】： 活性反應蒸鍍法(ABE):利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁( AL2O3)、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品。 【離子鍍膜法之空心陰極離子鍍(HCD)】： 空心陰極離子鍍(HCD):利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質(zhì)膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機械制品。 遼寧低溫影響真空鍍膜設備

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