MEMS制作工藝-太赫茲特性：

1.相干性由于它是由相千電流驅動的電偶極子振蕩產生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學頻率差頻產生，因此有很好的相干性。THz的相干測量技術能夠直接測量電場振幅和相位，從而方便提取檢測樣品的折射率，吸收系數(shù)等。

2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級，遠小于X射線的10^3量級，不易破壞被檢測的物質，適合于生物大分子與活性物質結構的研究。

3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強的穿透能力，在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用

4.吸收性:大多數(shù)極性分子對THz有強烈的吸收作用，可以用來進行醫(yī)療診斷與產品質量監(jiān)控

5.瞬態(tài)性:相比于傳統(tǒng)電磁波與光波，THz典型脈寬在皮秒量級，通過光電取樣測量技術，能夠有效抑制背景輻射噪聲的干擾，在小于3THz時信噪比達10人4:1。

6.寬帶性:THz脈沖光源通常包含諾千個周期的電磁振蕩，!單個脈沖頻寬可以覆蓋從GHz至幾+THz的范圍，便于在大的范圍內分析物質的光譜信息。 MEMS具有以下幾個基本特點？現(xiàn)代MEMS微納米加工電話

基于MEMS技術的SAW器件：

  聲表面波(SAW)傳感器是近年來發(fā)展起來的一種新型微聲傳感器，是種用聲表面波器件作為傳感元件，將被測量的信息通過聲表面波器件中聲表面波的速度或頻率的變化反映出來，并轉換成電信號輸出的傳感器。

  聲表面波傳感器能夠精確測量物理、化學等信息(如溫度、應力、氣體密度)。由于體積小，聲表面波器件被譽為開創(chuàng)了無線、小型傳感器的新紀元，同時，其與集成電路兼容性強，在模擬數(shù)字通信及傳感領域獲得了廣泛的應用。

  聲表面波傳感器能將信號集中于基片表面、工作頻率高，具有極高的信息敏感精度，能迅速地將檢測到的信息轉換為電信號輸出，具有實時信息檢測的特性，另外，聲表面波傳感器還具有微型化、集成化、無源、低成本、低功耗、直接頻率信號輸出等優(yōu)點。 現(xiàn)代化MEMS微納米加工廠家電話MEMS傳感器行業(yè)為國內企業(yè)追趕提供了契機。

駕駛輔助系統(tǒng)升級帶動MEMS＆傳感器價值提升。自動駕駛已成大趨勢，環(huán)境信息的感知是實現(xiàn)自動駕駛的基礎，越高級別的自動駕駛對信息感知能力的需求越高，對應的MEMS＆傳感器用量和價值量也會相應提升。根據(jù)NXP和Strategy analysis的數(shù)據(jù)，L1/2級別的自動駕駛只需要1個攝像頭模組、1-3個超聲波雷達和激光雷達，以及0-1個融合傳感器，新增半導體價值在100-350美元，而至L4/5級別自動駕駛車輛將會引入7-13個超聲波雷達和激光雷達、6-8個攝像頭模組并會引入V2X模塊以及多傳感器融合方案，新增半導體價值在1000美元以上。另外，短期來看，現(xiàn)實條件暴露了ADAS的缺陷，導致了一些安全事故的發(fā)生，由此對ADAS系統(tǒng)的安全性需求猛增，這些缺點重新致力于改進LIDAR、RADAR和其他成像設備，將多面?zhèn)鞲衅飨到y(tǒng)集成到自動駕駛汽車中。

MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測：

光電導取樣光電導取樣是基于光導天線(photoconductiveantenna,PCA)發(fā)射機理的逆過程發(fā)展起來的一種探測THz脈沖信號的探測技術。如要對THz脈沖信號進行探測，首先，需將一個未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中，以便于一個光學門控脈沖(探測脈沖)對其門控。其中，這個探測脈沖和泵浦脈沖有可調節(jié)的時間延遲關系，而這個關系可利用一個延遲線來加以實現(xiàn)，爾后，用一束探測脈沖打到光電導介質上，這時在介質中能夠產生出電子-空穴對(自由載流子)，而此時同步到達的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場，以此來驅動那些載流子運動，從而在PCA中形成光電流。用一個與PCA相連的電流表來探測這個電流即可， MEMS傳感器基本構成是什么？

MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類型，而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合，利用各種慣性傳感器的特性，立體運動的檢測。組合慣性傳感器的一個被廣為熟悉的應用領域就是慣性導航，比如飛機/導彈飛行控制、姿態(tài)控制、偏航阻尼等控制應用、以及中程導彈制導、慣性GPS導航等制導應用。

慣性傳感器分為兩大類：一類是角速率陀螺；另一類是線加速度計。角速率陀螺又分為：機械式干式﹑液浮﹑半液浮﹑氣浮角速率陀螺；撓性角速率陀螺；MEMS硅﹑石英角速率陀螺（含半球諧振角速率陀螺等）；光纖角速率陀螺；激光角速率陀螺等。線加速度計又分為：機械式線加速度計；撓性線加速度計；MEMS硅﹑石英線加速度計（含壓阻﹑壓電線加速度計）；石英撓性線加速度計等。 EBL設備制備納米級超透鏡器件的原理是什么？重慶哪里有MEMS微納米加工

MEMS四種ICP-RIE刻蝕工藝的不同需求?，F(xiàn)代MEMS微納米加工電話

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

高深寬比：硅蝕刻工藝通常需要處理高深寬比的問題，如應用在回轉儀(gyroscopes)及硬盤機的讀取頭等微機電組件即為此例。另外，此高深寬比的特性也是發(fā)展下一代晶圓級的高密度構造連接上的解決方案?？紤]到有關高深寬比的主要問題，是等離子進出蝕刻反應區(qū)的狀況：包括蝕刻劑進入蝕刻接口的困難程度(可借助離子擊穿高分子蔽覆層實現(xiàn))，以及反應副產品受制于孔洞中無法脫離。在一般的等離子壓力條件下，離子的準直性(loncollimation)運動本身就會將高深寬比限制在約50:1。另外，隨著具線寬深度特征離子的大量轉移，這些細微變化可能會改變蝕刻過程中的輪廓。一般說來，隨著蝕刻深度加深，蝕刻劑成分會減少。導致過多的高分子聚合反應，和蝕刻出漸窄的線寬。針對上述問題，設備制造商已發(fā)展出隨著蝕刻深度加深，在工藝條件下逐漸加強的硬件及工藝，這樣即可補償蝕刻劑在大量離子遷徙的變化所造成的影響。 現(xiàn)代MEMS微納米加工電話