晶圓測(cè)試是效率Z高的測(cè)試，因?yàn)橐粋€(gè)晶圓上常常有幾百個(gè)到幾千個(gè)甚至上萬(wàn)個(gè)芯片，而這所有芯片可以在測(cè)試平臺(tái)上一次性測(cè)試。chiptest是在晶圓經(jīng)過(guò)切割、減薄工序，成為一片片單獨(dú)的chip之后的測(cè)試。其設(shè)備通常是測(cè)試廠商自行開(kāi)發(fā)制造或定制的，一般是將晶圓放在測(cè)試平臺(tái)上，用探針探到芯片中事先確定的測(cè)試點(diǎn)，探針上可以通過(guò)直流電流和交流信號(hào)，可以對(duì)其進(jìn)行各種電氣參數(shù)測(cè)試。chiptest和wafertest設(shè)備Z主要的區(qū)別是因?yàn)楸粶y(cè)目標(biāo)形狀大小不同因而夾具不同。芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)芯片的性能和缺陷。安徽CPU芯片測(cè)試機(jī)設(shè)備

常見(jiàn)的測(cè)試手段，CP（Chip Probing）測(cè)試和FT（Final Test）測(cè)試：CP測(cè)試。芯片測(cè)試分兩個(gè)階段，一個(gè)是CP（Chip Probing）測(cè)試，也就是晶圓（Wafer）測(cè)試。另外一個(gè)是FT（Final Test）測(cè)試，也就是把芯片封裝好再進(jìn)行的測(cè)試。CP（Chip Probing）指的是晶圓測(cè)試。CP測(cè)試在整個(gè)芯片制作流程中處于晶圓制造和封裝之間。晶圓（Wafer）制作完成之后，成千上萬(wàn)的裸DIE（未封裝的芯片）規(guī)則的分布滿整個(gè)Wafer。由于尚未進(jìn)行劃片封裝，芯片的管腳全部裸露在外，這些極微小的管腳需要通過(guò)更細(xì)的探針臺(tái)來(lái)與測(cè)試機(jī)臺(tái)連接。Prober芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)芯片測(cè)試機(jī)可以提供定制化的測(cè)試方案，以滿足工程師的需求。

機(jī)架上還設(shè)置有預(yù)定位裝置，當(dāng)待測(cè)試芯片的放置方向與測(cè)試裝置測(cè)試時(shí)需要放置的芯片的方向不一致時(shí)，可以首先將待測(cè)試芯片移動(dòng)至預(yù)定位裝置，通過(guò)預(yù)定位裝置對(duì)芯片的放置方向進(jìn)行調(diào)整，保障芯片測(cè)試的順利進(jìn)行。芯片測(cè)試完成后再移動(dòng)至預(yù)定位裝置進(jìn)行方向調(diào)整，保障測(cè)試完成后的芯片的放置方向與芯片的來(lái)料方向一致。機(jī)架上還固定有中轉(zhuǎn)裝置，自動(dòng)上料裝置的tray盤(pán)一般都是滿盤(pán)上料，如果在測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)不良品，則自動(dòng)下料裝置的tray盤(pán)可能出現(xiàn)放不滿的情況。此時(shí)可通過(guò)移載裝置先將自動(dòng)上料裝置的空tray盤(pán)移載至中轉(zhuǎn)裝置，然后自動(dòng)上料裝置的另一個(gè)tray盤(pán)中吸取芯片進(jìn)行測(cè)試，當(dāng)自動(dòng)下料裝置的tray盤(pán)放滿芯片后，再將中轉(zhuǎn)裝置的空tray盤(pán)移動(dòng)至自動(dòng)下料裝置放滿芯片的tray盤(pán)上方，從而保障自動(dòng)下料裝置的tray盤(pán)也為滿盤(pán)下料。

Open/Short Test: 檢查芯片引腳中是否有開(kāi)路或短路。DC TEST: 驗(yàn)證器件直流電流和電壓參數(shù)。Eflash TEST: 測(cè)試內(nèi)嵌flash的功能及性能，包含讀寫(xiě)擦除動(dòng)作及功耗和速度等各種參數(shù)。Function TEST: 測(cè)試芯片的邏輯功能。AC Test: 驗(yàn)證交流規(guī)格，包括交流輸出信號(hào)的質(zhì)量和信號(hào)時(shí)序參數(shù)。Mixed Signal Test: 驗(yàn)證DUT數(shù)?；旌想娐返墓δ芗靶阅軈?shù)。RF Test: 測(cè)試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。芯片測(cè)試設(shè)備原理說(shuō)明，對(duì)于芯片行業(yè)來(lái)說(shuō)，其生產(chǎn)成本是很高的，因此，其芯片測(cè)試設(shè)備在一定程度上建議采用我們的芯片測(cè)試設(shè)備來(lái)降低企業(yè)運(yùn)行成本，所以，芯片測(cè)試設(shè)備的運(yùn)行原理我們也不得不了解清楚。芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)到芯片中的誤差。

s4：當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤(pán)中的待測(cè)試芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置50的空tray盤(pán)中放滿測(cè)試合格的芯片后，移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40的空tray盤(pán)移載至自動(dòng)下料裝置50。當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的位于較上方的tray盤(pán)中的50個(gè)芯片全部完成測(cè)試后，且該50個(gè)芯片全部都是合格品，則此時(shí)自動(dòng)下料裝置50的tray盤(pán)中放滿50個(gè)測(cè)試合格的芯片。則通過(guò)移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40的孔的tray盤(pán)移載至自動(dòng)下料裝置50上，且將該tray盤(pán)放置于自動(dòng)下料裝置50的放置有50個(gè)芯片的tray盤(pán)的上方。芯片測(cè)試機(jī)還可以進(jìn)行邏輯測(cè)試以測(cè)試操作錯(cuò)誤。Prober芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

芯片測(cè)試機(jī)通常連接到計(jì)算機(jī)上進(jìn)行測(cè)試。安徽CPU芯片測(cè)試機(jī)設(shè)備

對(duì)于光學(xué)IC，還需要對(duì)其進(jìn)行給定光照條件下的電氣性能測(cè)試。chiptest主要設(shè)備：探針平臺(tái)（包括夾持不同規(guī)格chip的夾具）。chiptest輔助設(shè)備：無(wú)塵室及其全套設(shè)備。chiptest能測(cè)試的范圍和wafertest是差不多的，由于已經(jīng)經(jīng)過(guò)了切割、減薄工序，還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來(lái)。但chiptest效率比wafertest要低不少。packagetest是在芯片封裝成成品之后進(jìn)行的測(cè)試。由于芯片已經(jīng)封裝，所以不再需要無(wú)塵室環(huán)境，測(cè)試要求的條件較大程度上降低。安徽CPU芯片測(cè)試機(jī)設(shè)備

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