一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機械手，該真空吸附機械手包括：手臂；固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺；設(shè)置在所述手臂和吸附絕緣凸臺內(nèi)的真空氣道；所述吸附絕緣凸臺用于吸附待傳送晶圓的背面，所述吸附絕緣凸臺的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度，故利用真空吸附機械手將晶圓傳送至所需位置之后，晶圓的背面中與真空吸附機械手接觸的位置不會形成印記，提高了晶圓的合格率。通用性強，能適應(yīng)多種作業(yè)；工藝性好，便于維修調(diào)整。單軸機械手臂作為一個組件在工業(yè)中應(yīng)用***。珠海新款晶圓運送機械吸臂制造價格

輸送半導(dǎo)體晶圓的機械手通常具有兩個以上的自由度。這種機械手典型地由兩個連桿和手部構(gòu)成。在本說明書中，將兩個連桿稱作上臂連桿和前臂連桿。典型地，上臂連桿的一端連結(jié)于電機的輸出軸，上臂連桿的另一端連結(jié)于前臂連桿的一端。而且，前臂連桿的另一端連結(jié)于手部。上臂連桿和前臂連桿經(jīng)由關(guān)節(jié)而連結(jié)。前臂連桿和手部也經(jīng)由關(guān)節(jié)而連結(jié)。在各個關(guān)節(jié)處安裝有軸承，以便使連桿順暢地旋轉(zhuǎn)。在輸送半導(dǎo)體晶圓的機械手中，為了不污染傳送室內(nèi)而屏蔽（shield）安裝于關(guān)節(jié)的軸承。深圳進口晶圓運送機械吸臂價格對于工業(yè)應(yīng)用來說，有時并不需要機械手臂具有完整的六個自由度.

研究背景近年來，隨著機器人技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用高速度、高精度、 高負(fù)載自重比的機器人結(jié)構(gòu)受到工業(yè)和航空航天領(lǐng)域的關(guān)注。由于運動過程中關(guān)節(jié)和連桿的柔性效應(yīng)的增加，使結(jié)構(gòu)發(fā)生變形從而使任務(wù)執(zhí)行的精度降低。所以，機器人機械臂結(jié)構(gòu)柔性特征必須予以考慮，實現(xiàn)柔性機械臂高精度有效控制也必須考慮系統(tǒng)動力學(xué)特性。柔性機械臂是一個非常復(fù)雜的動力學(xué)系統(tǒng)，其動力學(xué)方程具有非線性, 強耦合, 實變等特點。而進行柔性臂動力學(xué)問題的研究，其模型的建立是極其重要的。柔性機械臂不僅是一個剛?cè)狁詈系姆蔷€性系統(tǒng)，而且也是系統(tǒng)動力學(xué)特性與控制特性相互耦合即機電耦合的非線性系統(tǒng)。動力學(xué)建模的目的是為控制系統(tǒng)描述及控制器設(shè)計提供依據(jù)。一般控制系統(tǒng)的描述( 包括時域的狀態(tài)空間描述和頻域的傳遞函數(shù)描述) 與傳感器/ 執(zhí)行器的定位，從執(zhí)行器到傳感器的信息傳遞以及機械臂的動力學(xué)特性密切相關(guān)。

一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機械手，該真空吸附機械手包括：手臂；固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺；設(shè)置在所述手臂和吸附絕緣凸臺內(nèi)的真空氣道；所述吸附絕緣凸臺用于吸附待傳送晶圓的背面，所述吸附絕緣凸臺的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度，故利用真空吸附機械手將晶圓傳送至所需位置之后，晶圓的背面中與真空吸附機械手接觸的位置不會形成印記，提高了晶圓的合格率。機械手的剛度、偏重力矩、慣性力及緩沖效果都直接影響手臂的位置精度。

出了通用二自由度空間模塊(TODOM)的概念,并以通用TODOM作為空間機械臂的構(gòu)造模塊。TO-DOM由兩個旋轉(zhuǎn)模塊及一個連接模塊共三個基本模塊組成。根據(jù)空間機械臂的具體構(gòu)型需要,將TODOM的三個基本模塊之間的機械接口進行專門設(shè)計,即可配置成確定構(gòu)型的二自由度關(guān)節(jié)。由這樣數(shù)個不同構(gòu)型的二自由度關(guān)節(jié)可以組裝出具有偶數(shù)個自由度的空間機器臂。采用一體化概念設(shè)計的TODOM減小了關(guān)節(jié)的質(zhì)量與體積,提高了系統(tǒng)的可靠性。通過對由TODOM構(gòu)成的一套二自由度關(guān)節(jié)進行的試驗初步驗證了TODOM設(shè)計概念的合理性及可行性。此外，對于熱加工的機械手，還要考慮熱輻射，手臂要較長，以遠離熱源，并須裝有冷卻裝置。汕頭新款晶圓運送機械吸臂聯(lián)系人

手臂。起著連接和承受外力的作用。珠海新款晶圓運送機械吸臂制造價格

    目前，直拉法是生長晶圓**常用的方法了，除了直拉法之外，常用的方法還有區(qū)熔法。區(qū)熔法，簡稱Fz法。1939年，在貝爾實驗室工作的W·G·Pfann較早萌生了“區(qū)域勻平”的念頭，后來在亨利·休勒、丹·多西等人的協(xié)助下，生長出了高純度的鍺以及硅單晶，并獲得了**。這種方法是利用熱能在半導(dǎo)體多晶棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū)，使其重結(jié)晶為單晶。使熔區(qū)沿一定方向緩慢地向棒的另一端移動，進而通過整根棒料，使多晶棒料生長成一根單晶棒料，區(qū)熔法也需要籽晶，且**終得到的柱狀單晶錠晶向與籽晶的相同。 珠海新款晶圓運送機械吸臂制造價格

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