可控整流：如同二管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，吉林反并聯(lián)可控硅模塊，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實(shí)現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;

無(wú)觸點(diǎn)功率靜態(tài)開(kāi)關(guān)(固態(tài)開(kāi)關(guān))：作為功率開(kāi)關(guān)元件，可控硅可以代替接觸器，吉林反并聯(lián)可控硅模塊、繼電器用于開(kāi)關(guān)頻率很高的場(chǎng)合。

因此可控硅元件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等用途。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱，吉林反并聯(lián)可控硅模塊、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門(mén)電路、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。 淄博正高電氣有限公司是您可信賴(lài)的合作伙伴！吉林反并聯(lián)可控硅模塊

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導(dǎo)通角問(wèn)題，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。

選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓；

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱(chēng)的電流必須大于該值。 吉林反并聯(lián)可控硅模塊淄博正高電氣有限公司是多層次的組織與管理模式。

可控硅模塊的分類(lèi)可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。

可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開(kāi)或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過(guò)電源的內(nèi)阻加在開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過(guò)程中將產(chǎn)生大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周?chē)�空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開(kāi)關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。淄博正高電氣有限公司以高品質(zhì)，高質(zhì)量的產(chǎn)品，滿足廣大新老用戶的需求。

可控硅鑒別三個(gè)的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)之間的電阻值就可以判斷出來(lái)。

  陽(yáng)與陰之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)和控制之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)和控制正反向都不通）。

  控制與陰之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大�？墒强刂贫�管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制特性不好。另外，在測(cè)量控制正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制反向擊穿。

  若測(cè)得元件陰陽(yáng)正反向已短路，或陽(yáng)與控制短路，或控制與陰反向短路，或控制與陰斷路，說(shuō)明元件已損壞。 不斷開(kāi)發(fā)新的產(chǎn)品，并建立了完善的服務(wù)體系。日照反并聯(lián)可控硅模塊哪家好

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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類(lèi)似于真空閘流管，所以上通稱(chēng)為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱(chēng)為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不具有單向?qū)щ娦�，而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類(lèi)主要有：螺栓形、平板形和平底形。 吉林反并聯(lián)可控硅模塊

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