反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過(guò)pn結(jié)。電場(chǎng)造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。齊納擊穿如圖1.3所示。當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過(guò)pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場(chǎng)加速，獲得較大動(dòng)能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致電子進(jìn)一步脫離的過(guò)程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。ESD3.3V02D-SLC：屬于 3V 系列的低電容 ESD 靜電保護(hù)二極管陣列。標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR15D3BL近期價(jià)格

      低動(dòng)態(tài)電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護(hù)二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護(hù)二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時(shí)，漏電流增加。電壓接近VBR時(shí)，漏電流可能使保護(hù)信號(hào)線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電壓（VR）成指數(shù)增長(zhǎng)。選擇VRWM高于被保護(hù)信號(hào)線振幅的ESD保護(hù)二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)交界面形成耗盡層，耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護(hù)信號(hào)線頻率的基礎(chǔ)上，正確選擇ESD保護(hù)二極管，否則信號(hào)質(zhì)量會(huì)下降。廣州新型ESD保護(hù)二極管SR15D3BL價(jià)格ESD保護(hù)二極管的工作原理基于PN結(jié)的特性。

       低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積  小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管2，然后反向流過(guò)二極管3，因?yàn)槎O管3的VBR低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5（a）所示時(shí)，ESD電流不會(huì)反向流過(guò)二極管1和二極管2。因此，這個(gè)電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5（b）顯示這個(gè)ESD保護(hù)二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯(lián)，可以減小組合電容。此外，由于該電路VBR由二極管3的VBR決定，因此可以根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)線調(diào)整二極管3的VBR，從而提高ESD抗擾度。

      ESD保護(hù)二極管在醫(yī)療監(jiān)護(hù)儀、手術(shù)器械、診斷設(shè)備等醫(yī)療設(shè)備中有廣泛應(yīng)用。醫(yī)療設(shè)備中的電子部件同樣需要保護(hù)，以防止靜電放電對(duì)設(shè)備性能和患者安全造成影響。在這些領(lǐng)域，設(shè)備對(duì)可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護(hù)二極管能夠確保設(shè)備在極端環(huán)境下不受靜電放電的干擾。ESD保護(hù)二極管適用于任何需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。隨著電子設(shè)備的普及和應(yīng)用的不斷拓展，ESD保護(hù)二極管的應(yīng)用范圍也將越來(lái)越***適用于各種需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。在PCB布局時(shí)，應(yīng)將ESD保護(hù)二極管靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)放置，如靠近連接器。

       ESD保護(hù)二極管是一種用于抑制靜電感應(yīng)和瞬時(shí)過(guò)壓的半導(dǎo)體器件，在電路中起到了關(guān)鍵的保護(hù)作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通信設(shè)備以及工業(yè)控制設(shè)備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的一部分。ESD保護(hù)二極管的工作原理基于其內(nèi)部的PN結(jié)結(jié)構(gòu)。當(dāng)外部電壓超過(guò)二極管的額定電壓時(shí)，PN結(jié)會(huì)被擊穿，形成導(dǎo)電通道，將靜電放電的能量導(dǎo)入地面，從而保護(hù)電路元件免受損壞。在靜電放電結(jié)束后，二極管會(huì)自動(dòng)恢復(fù)高阻態(tài)，防止電流流過(guò)，確保電路的正常運(yùn)行。瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）：能夠在極短的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通，吸收高能量的靜電脈沖。深圳定制ESD保護(hù)二極管SR08D3BL售價(jià)

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管：在靜電放電時(shí)能夠迅速導(dǎo)通，提供低阻抗路徑。標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR15D3BL近期價(jià)格

      ESD（Electrostatic Discharge，靜電放電）保護(hù)二極管***適用于各種需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。以下是一些主要的應(yīng)用場(chǎng)合：集成電路（IC）和半導(dǎo)體器件：在IC制造、封裝、測(cè)試以及**終產(chǎn)品組裝過(guò)程中，ESD保護(hù)二極管能夠保護(hù)脆弱的芯片不受靜電沖擊。特別是針對(duì)高集成度、低功耗和高速的IC，ESD保護(hù)二極管的作用尤為重要。消費(fèi)電子設(shè)備：包括智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、相機(jī)、耳機(jī)等，這些設(shè)備在日常使用中容易遭受靜電放電的影響。標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR15D3BL近期價(jià)格