結(jié)構(gòu)設(shè)計，減震墊設(shè)計：在電源底部和安裝位置之間設(shè)置減震墊，材料可選擇橡膠或硅膠等，它們具有良好的彈性和減震性能，能有效減少振動對電源的影響。加固設(shè)計：通過增加電源的強(qiáng)度和剛性提高其對振動和沖擊的承受能力，如使用金屬板、塑料板等加固材料，對電源外殼或內(nèi)部關(guān)鍵結(jié)構(gòu)進(jìn)行加固。 緩沖設(shè)計：在電源內(nèi)部設(shè)置緩沖材料，如泡沫、海綿等，用于吸收振動和沖擊的能量，減少其對電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)的損傷。合理布局：合理規(guī)劃內(nèi)部空間，盡量將較重的元件放置在靠近底部的位置，降低重心，增加穩(wěn)定性。同時，要確保元件之間有足夠的間距，避免在震動過程中相互碰撞。 元件選擇與安裝，選擇耐振元件：優(yōu)先選用抗振性能好的電子元件，如具有堅固封裝、良好焊接性能和高機(jī)械強(qiáng)度的元件。對于一些關(guān)鍵的易損元件，可選擇有額外加固措施或抗振設(shè)計的型號。電源可提供任意寬范圍的工作溫度。青海開關(guān)電源工程技術(shù)

高精度的采樣電路：對輸出電壓和電流進(jìn)行精確采樣，采用高精度的電阻、電容等采樣元件以及高性能的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），確保采樣數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。優(yōu)丨質(zhì)的功率器件：選擇性能優(yōu)良、參數(shù)穩(wěn)定的開關(guān)管、二極管、電感、電容等功率器件，減少器件本身的參數(shù)變化對輸出電壓的影響。合理的電路布局和布線：減少電磁干擾和信號串?dāng)_，提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。例如采用多層電路板設(shè)計、合理規(guī)劃電源和地平面、對敏感信號進(jìn)行屏蔽等。冗余設(shè)計：采用多個電源模塊并聯(lián)或串聯(lián)，當(dāng)其中一個模塊出現(xiàn)故障時，其他模塊可以繼續(xù)工作，保證輸出電壓的穩(wěn)定性，如 ZXGZDW 直流電源屏的功率輸出單元采用模塊化（n + 1）冗余設(shè)計。 上海開關(guān)電源服務(wù)電話產(chǎn)品在使用過程中的顛震設(shè)計。

采用先進(jìn)的電路拓?fù)洌喝绮捎靡葡嗳珮?ZVS-PWM 電路拓?fù)?，可實現(xiàn)開關(guān)管的零電壓開關(guān)，減少開關(guān)損耗，提高電源效率和功率密度。還可采用交錯并聯(lián) Boost 電路拓?fù)?，能減小輸入輸出電流紋波，提高電源的可靠性和功率密度。選用高性能的功率器件：氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高耐壓等優(yōu)點，能有效減小功率器件的尺寸和損耗，提高電源功率密度。優(yōu)化磁性元件設(shè)計：采用高頻磁芯材料，如納米晶、非晶等，可提高磁芯的工作頻率和飽和磁通密度，減小磁性元件的尺寸。還可利用平面變壓器和集成磁技術(shù)，將多個磁性元件集成在一起，減小體積，提高功率密度。高效的散熱設(shè)計：可通過增加散熱片的面積、優(yōu)化散熱片的形狀和結(jié)構(gòu)等方式，提高散熱效率。也可采用熱管、液冷等先進(jìn)的散熱技術(shù)，有效降低電源內(nèi)部的溫度，保證電源的正常工作

設(shè)計方面 提高功率密度：采用先進(jìn)的電力電子技術(shù)，如軟開關(guān)技術(shù)、多電平變換技術(shù)等，提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少能源損耗，在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率輸出，滿足航空航天、艦載等對電源體積和重量要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景。 增強(qiáng)可靠性設(shè)計：運用冗余設(shè)計，包括電源模塊冗余、電路冗余等，當(dāng)部分電路或模塊出現(xiàn)故障時，其他部分可繼續(xù)工作，確保電源系統(tǒng)不間斷供電。如朗原科技的加固式 CPCI 機(jī)載電源采用電源板與殼體緊密貼合設(shè)計，提高散熱性能，確保設(shè)備在長時間運行下依舊能夠保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。 優(yōu)化電磁兼容設(shè)計：在設(shè)計中融入電磁兼容性原則，通過合理的電路布局、屏蔽技術(shù)、濾波技術(shù)等，確保電源系統(tǒng)在復(fù)雜電磁環(huán)境下可靠工作，減少自身對外界的電磁干擾，同時提高抗干擾能力。產(chǎn)品在使用過程中的振動設(shè)計。

元件選型與布局，選用小型化元件：優(yōu)先選擇尺寸小的半導(dǎo)體器件、貼片式電容和電感等，如采用晶圓級芯片規(guī)模封裝（WLCSP）的開關(guān)穩(wěn)壓器 IC，可明顯減小電源體積。優(yōu)化元件布局：合理規(guī)劃元件在電路板上的位置，如將發(fā)熱元件分散放置以利于散熱，同時縮小元件間的間距，提高布局緊湊性。采用多層電路板技術(shù)，將不同功能的電路層疊布置，增加布線空間，減少電路板面積。 選擇合適拓?fù)洌簩τ谛〕叽绺吖β拭芏刃枨?，可采用全橋、半橋等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其在功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度方面有優(yōu)勢。如反激式拓?fù)溥m用于小功率、隔離要求高的場合，正激式拓?fù)淇捎糜谥械裙β是覍敵鲭妷壕纫蟾叩那闆r。集成化拓?fù)洌喊l(fā)展集成化的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將多個功能模塊集成在一個芯片或模塊中，減少外部連接線路和元件數(shù)量，如采用集成了功率開關(guān)管、驅(qū)動電路和控制電路的功率模塊，可使電源結(jié)構(gòu)更緊湊。采用數(shù)字電路，實現(xiàn)電源小型化。青海開關(guān)電源工程技術(shù)

公司支持做OEM產(chǎn)品代工。青海開關(guān)電源工程技術(shù)

元件選擇與優(yōu)化 變壓器：選擇鐵氧體磁芯或納米晶磁芯等高性能材料，合理設(shè)計繞組結(jié)構(gòu)，減小繞組電阻和漏感，確保良好的散熱性能。 開關(guān)元件：選用具有低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗的功率器件，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體器件，確保開關(guān)元件有足夠散熱面積和散熱通道。 電感與電容：選擇質(zhì)量優(yōu)良的電感和電容，合理設(shè)計其規(guī)格和布局，以降低高頻下的損耗。 電路設(shè)計優(yōu)化 功率因數(shù)校正（PFC）：通過 PFC 電路減少無功功率，提高輸入功率的有效利用，改善電源輸入和輸出之間的功率因數(shù)，減少電網(wǎng)中的諧波污染和能量損失。 軟開關(guān)技術(shù)：采用零電壓開關(guān)（ZVS）和零電流開關(guān)（ZCS）等軟開關(guān)技術(shù)，在開關(guān)動作前后引入諧振或輔助電路，使開關(guān)元件在零電壓或零電流條件下進(jìn)行切換，降低開關(guān)損耗。 降低電路寄生參數(shù)：優(yōu)化 PCB 布局和布線，采用多層 PCB 板和合理的接地方式，降低電路中的寄生電感和電容引起的額外能量損耗。青海開關(guān)電源工程技術(shù)